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J-GLOBAL ID：200902151537717645   整理番号：01A0523888

GaN系の高出力ヘテロ接合電界効果トランジスタ UCSBにおけるプロセス開発と現状

Gallium Nitride Based High Power Heterojunction Field Effect Transistors: Process Development and Present Status at UCSB.

著者 (8件)： KELLER S (Univ. California, CA, USA) ,  WU Y-F (Cree Lighting Co., CA, USA) ,  PARISH G (Univ. California, CA, USA) ,  ZIANG N (Univ. California, CA, USA) ,  XU J J (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER B P (Cree Lighting Co., CA, USA) ,  DENBAARS S P (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA U K (Univ. California, CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48  号： 3  ページ： 552-559  発行年： 2001年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カリフォルニア大学サンタバーバラ校(UCSB)におけるGaN...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  高出力 ,  ヘテロ接合 ,  電界効果トランジスタ ,  プロセス ,  開発 ,  現状