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J-GLOBAL ID:200902151537717645   整理番号:01A0523888

GaN系の高出力ヘテロ接合電界効果トランジスタ UCSBにおけるプロセス開発と現状

Gallium Nitride Based High Power Heterojunction Field Effect Transistors: Process Development and Present Status at UCSB.
著者 (8件):
資料名:
巻: 48  号:ページ: 552-559  発行年: 2001年03月 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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カリフォルニア大学サンタバーバラ校(UCSB)におけるGaN...
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分類 (2件):
分類
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トランジスタ  ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 

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