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J-GLOBAL ID：200902151608567038   整理番号：96A0503704

低誘電定数の層間誘電体のためのヘリコンプラズマ促進化学気相成長法によって成長させたふっ化非晶質炭素薄膜

Fluorinated amorphous carbon thin films grown by helicon plasma enhanced chemical vapor deposition for low dielectric constant interlayer dielectrics.

著者 (2件)： ENDO K (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  TATSUMI T (NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 68  号： 20  ページ： 2864-2866  発行年： 1996年05月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 層間誘電体のためのふっ化非晶質炭素薄膜(a-C:F)をヘリコ...

シソーラス用語： 炭素 ,...

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分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (9件)： 低誘電 ,  定数 ,  誘電体 ,  ヘリコンプラズマ ,  促進 ,  化学気相成長法 ,  成長 ,  非晶質 ,  炭素薄膜