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J-GLOBAL ID：200902151812700553   整理番号：00A0004275

フレキシブルステンレス鋼基板上に製作した高移動度ポリシリコンTFT’s

High-Mobility Poly-Si TFT’s Fabricated on Flexible Stainless-Steel Substrates.

著者 (2件)： SERIKAWA T (NTT Syber Space Lab., Tokyo, JPN) ,  OMATA F (NTT Syber Space Lab., Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 20  号： 11  ページ： 574-576  発行年： 1999年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高移動度多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TF...

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ステンレス鋼 ,  製作 ,  高移動度 ,  ポリシリコン ,  TFT