Ga<sub>1-x</sub>Mn<sub>x</sub>Asの欠陥制御強磁性に及ぼすアニ-ル時間の影響

POTASHNIK S J; KU K C; CHUN S H; BERRY J J; SAMARTH N; SCHIFFER P

文献

J-GLOBAL ID：200902152001072184 整理番号：01A0904115

Ga_1-xMn_xAsの欠陥制御強磁性に及ぼすアニ-ル時間の影響

Effects of annealing time on defect-controlled ferromagnetism in Ga_1-xMn_xAs.

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巻： 79 号： 10 ページ： 1495-1497 発行年： 2001年09月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

低温分子ビームエピタクシーによって成長させた標題の強磁性半導...

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その他の無機化合物の磁性 , 半導体結晶の電気伝導

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Ga1-xMnxAsの欠陥制御強磁性に及ぼすアニ-ル時間の影響

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