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J-GLOBAL ID：200902152316507235   整理番号：99A0892671

絶縁体上シリコンウエハにおけるSi薄膜の熱電特性評価

Thermoelectric characterization of Si thin films in silicon-on-insulator wafers.

著者 (3件)： LIAO C N (UCLA, California) ,  CHEN C (UCLA, California) ,  TU K N (UCLA, California)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 86  号： 6  ページ： 3204-3208  発行年： 1999年09月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記ウエハで,最も重要な熱電パラメータのSeebeck係数を...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： アニール

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分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 絶縁体 ,  シリコンウエハ ,  Si薄膜 ,  熱電特性 ,  評価