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J-GLOBAL ID：200902152383668111   整理番号：98A0699841

CuBrをドープした85%Bi₂Te₃-15%Bi₂Se₃n型単結晶熱電半導体の電気的特性

Electrical Properties of CuBr-doped n-type 85% Bi₂Te₃-15% Bi₂Se₃ Thermoelectric Materials.

著者 (5件)： HWANG J S (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  HYUN D B (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  OH T S (Hongik Univ., Seoul, KOR) ,  LEE H W (Korea Electrotechnology Res. Inst., Changwon, KOR) ,  SHIM J D (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR)
資料名： Journal of the Korean Institute of Metals and Materials  (Journal of the Korean Institute of Metals and Materials)
巻： 36  号： 4  ページ： 601-605  発行年： 1998年04月05日 
JST資料番号： A0698B  ISSN： 1738-8228  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 韓国語 (KO)

抄録/ポイント： CuBrをドープしない標記組成の単結晶合金はp型伝導機構を持...

シソーラス用語： *N型半導体 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯

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分類 (3件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  電気材料一般  (NA04010A)

タイトルに関連する用語 (3件)： ドープ ,  単結晶 ,  電気的特性