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J-GLOBAL ID：200902152411251744   整理番号：02A0397798

SiCパワーショットキーおよびPINダイオード

SiC Power Schottky and PiN Diodes.
著者 (5件)：
SINGH R

SINGH R について

(Cree, Inc., NC, USA)

Cree, Inc., NC, USA について

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COOPER J A JR

COOPER J A JR について

(Purdue Univ., IN, USA)

Purdue Univ., IN, USA について

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MELLOCH M R

MELLOCH M R について

(Purdue Univ., IN, USA)

Purdue Univ., IN, USA について

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CHOW T P

CHOW T P について

(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)

Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA について

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PALMOUR J W

PALMOUR J W について

(Cree, Inc., NC, USA)

Cree, Inc., NC, USA について


資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)

IEEE Transactions on Electron Devices について


巻： 49  号： 4  ページ： 665-672  発行年： 2002年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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大電力SiCダイオード開発のマイルストーンとして,130A ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*パワーエレクトロニクス

パワーエレクトロニクス について

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分類 (1件)：
分類
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ダイオード 
(NC03050R)

ダイオード について

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タイトルに関連する用語
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PINダイオード

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