文献
J-GLOBAL ID：200902152444010360
整理番号：02A0127937
GaN HEMTに関する自己発熱効果,温度依存モデリングおよびパルス負荷引込測定の考察
Study of Self-Heating Effects, Temperature-Dependent Modeling, and Pulsed Load-Pull Measurements on GaN HEMTs.
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著者 (4件)：
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資料名：
巻：
49
号：
12
ページ：
2413-2420
発行年：
2001年12月
JST資料番号：
C0229A
ISSN：
0018-9480
CODEN：
IETMAB
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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GaN HEMTが種々の温度の下,パルスおよび連続状態中で示...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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準シソーラス用語：
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分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ
, R,L,C,Q,インピーダンス,誘電率の計測法・機器
タイトルに関連する用語 (7件)：
タイトルに関連する用語
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