文献
J-GLOBAL ID：200902153011546091 整理番号：93A0664076
高ドーズボロンイオン注入による高キャリア濃度層の形成 (1)
Formation of High Carrier-Concentration P+ Layer by High-Dose Boron Implantation. (I).
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資料名：
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
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巻：
40th
号：
Pt 2
ページ：
628
発行年：
1993年03月
JST資料番号：
Y0054A
資料種別：
会議録 (C)
発行国：
日本 (JPN)
言語：
日本語 (JA)
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