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J-GLOBAL ID：200902153234045060   整理番号：93A0741071

Diffusion of Si in δ-Doped GaAs Studied by Magneto Transport.

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著者 (5件)：
KOENRAAD P M

KOENRAAD P M について

(Eindhoven Univ. Technology, Eindhoven, NLD)

Eindhoven Univ. Technology, Eindhoven, NLD について

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BARSONY I

BARSONY I について

(Univ. Twente, Enschede, NLD)

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HENNING J C M

HENNING J C M について

(Eindhoven Univ. Technology, Eindhoven, NLD)

Eindhoven Univ. Technology, Eindhoven, NLD について

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PERENBOOM J A A J

PERENBOOM J A A J について

(Univ. Nijmegen, Nijmegen, NLD)

Univ. Nijmegen, Nijmegen, NLD について

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WOLTER J H

WOLTER J H について

(Eindhoven Univ. Technology, Eindhoven, NLD)

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資料名：
NATO ASI Series. E. Applied Sciences  (NATO ASI Series. E. Applied Sciences)

NATO ASI Series. E. Applied Sciences について


巻： 243  ページ： 35-43  発行年： 1993年 
JST資料番号： C0593B  資料種別： 会議録 (C)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
タイトルに関連する用語 (2件)：
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Si

Si について

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GaAs

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