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J-GLOBAL ID：200902153478993423   整理番号：98A0349008

小数キャリヤ注入をしながらのアニーリングによるGaN中のMgの活性化

The activation of Mg in GaN by annealing with minority-carrier injection.

著者 (4件)： MIYACHI M (Pioneer Electronic Corp., Saitama, JPN) ,  TANAKA T (Pioneer Electronic Corp., Saitama, JPN) ,  KIMURA Y (Pioneer Electronic Corp., Saitama, JPN) ,  OTA H (Pioneer Electronic Corp., Saitama, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 72  号： 9  ページ： 1101-1103  発行年： 1998年03月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 少数キャリアを注入しながら300°C以上でアニールするとGaN...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： キャリヤ ,  注入 ,  アニーリング ,  GaN ,  Mg ,  活性化