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J-GLOBAL ID：200902153540320929   整理番号：93A0503806

金属-酸化物-半導体電子トンネル陰極の放出特性

Emission characteristics of metal-oxide-semiconductor electron tunneling cathode.
著者 (5件)：
YOKOO K

YOKOO K について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

, 
TANAKA H

TANAKA H について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

, 
SATO S

SATO S について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

, 
MUROTA J

MUROTA J について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

, 
ONO S

ONO S について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について


資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)

Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures について


巻： 11  号： 2  ページ： 429-432  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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超薄SiO2層をもつMOS型電子トンネ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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MOS構造

MOS構造 について

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シソーラス用語/準シソーラス用語
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圧力依存性

圧力依存性 について

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分類 (3件)：
分類
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その他の固体デバイス 
(NC03150A)

その他の固体デバイス について

,  熱電子放出,電界放出 
(BM09020S)

熱電子放出,電界放出 について

,  金属-絶縁体-半導体構造 
(BM03085X)

金属-絶縁体-半導体構造 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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酸化物

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電子

電子 について

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トンネル

トンネル について

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陰極

陰極 について

, 
放出

放出 について


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