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J-GLOBAL ID：200902153556585540   整理番号：94A0940351

ナノメーターリソグラフィーにおけるレジスト高分子のサイズ効果

Size effects of resist polymers on nanometer lithography.

著者 (5件)： 吉村俊之 (日立 中研) ,  SCHECKLER E W (日立 中研) ,  小川太郎 (日立 中研) ,  宿利章二 (日立 中研) ,  白石洋 (日立 中研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 63  号： 11  ページ： 1131-1134  発行年： 1994年11月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： LSIの高集積化,高機能化とともに極微細加工が要求されるが,...

シソーラス用語： 表面粗さ ,...
準シソーラス用語： HIACINTH【コード】

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  放射線高分子化学  (CG03050S)

引用文献 (18件)：

• 1) 例えば,岡崎信次:応用物理 60, 1076 (1991).
• 2) 例えば, M. Reed and W. P. Kirk, ed.: Nanostructure Physics and Fabrication (Academic Press, Boston, 1989).
• 3) H. Liu, M. P. deGrandpre and W. E. Feely: J. Vac. Sci. & Technol. B 6, 379 (1988).
• 4) T. Yoshimura, Y. Nakayama and S. Okazaki: J. Vac. Sci. & Technol. B 10, 2615 (1992).
• 5) T. Yoshimura, H. Shiraishi, J. Yamamoto and S. Okazaki: Appl. Phys. Lett. 63, 764 (1993).

タイトルに関連する用語 (3件)： レジスト ,  高分子 ,  サイズ効果