文献

J-GLOBAL ID：200902153607030025   整理番号：98A0818574

低エネルギー電子線照射における電子ビームドーピングのメカニズムの研究

Research on the mechanism of electron beam doping in low energy electron beam irradiation.

著者 (6件)： 冨田義典 (大同工大) ,  野田尚伸 (大同工大) ,  水沢健一 (日新ハイボルテージ) ,  祖父江進 (デンソー) ,  藤本博 (大同工大) ,  和田隆夫 (大同工大)
資料名： 電気関係学会東海支部連合大会講演論文集  (Record of Tokai-Section Joint Conference of the Six Institute of Electrical and Related Engineers)
巻： 1997  ページ： 147  発行年： 1997年09月 
JST資料番号： L1634A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低エネルギー ,  電子線照射 ,  電子ビーム ,  ドーピング ,  メカニズム ,  研究