極薄二酸化けい素膜における走査トンネル顕微鏡による電流漏れサイトの生成と観察

WATANABE H; FUJITA K; ICHIKAWA M

文献

J-GLOBAL ID：200902153679232900 整理番号：98A0447257

極薄二酸化けい素膜における走査トンネル顕微鏡による電流漏れサイトの生成と観察

Observation and creation of current leakage sites in ultrathin silicon dioxide films using scanning tunneling microscopy.

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資料名：
巻： 72 号： 16 ページ： 1987-1989 発行年： 1998年04月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

走査トンネル顕微鏡(STM)を使用して,Si基板上に成長させ...

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酸化物薄膜

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