エルビウムドープシリコン発光ダイオードからのλ=1.54μmにおける室温での鋭い線エレクトロルミネセンス

ZHENG B; MICHEL J; REN F Y G; KIMERLING L C; JACOBSON D C; POATE J M

文献

J-GLOBAL ID：200902153814282123 整理番号：94A0540254

エルビウムドープシリコン発光ダイオードからのλ=1.54μmにおける室温での鋭い線エレクトロルミネセンス

Room-temperature sharp line electroluminescence at λ=1.54μm from an erbium-doped, silicon light-emitting diode.

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資料名：
巻： 64 号： 21 ページ： 2842-2844 発行年： 1994年05月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

λ=1.54μmにおいてのエルビウムドープシリコン発光ダイオ...

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発光素子 , 半導体のルミネセンス

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