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J-GLOBAL ID：200902153871944035   整理番号：97A0986057

シリコンの異方性エッチングのためのTMAHとKOHの比較研究

Comparative studies of TMAH and KOH for anisotropic etching of silicon.
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著者 (1件)：
ZAVRACKY P M

ZAVRACKY P M について

(Northeastern Univ., Massachusetts)

Northeastern Univ., Massachusetts について


資料名：
Microstructures and Microfabricated Systems 3  (Microstructures and Microfabricated Systems 3)

Microstructures and Microfabricated Systems 3 について


ページ： 102-117  発行年： 1997年 
JST資料番号： K19970563  ISBN： 1-56677-132-3  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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MEMS処理工程のためのKOHとTMAH(水酸化テトラメチル...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*電解エッチング

電解エッチング について

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シソーラス用語/準シソーラス用語
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CVD【化学蒸着】

CVD【化学蒸着】 について

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分類 (1件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

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異方性エッチング

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TMAH

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KOH

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