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J-GLOBAL ID：200902153978852788   整理番号：01A0326526

ほう素及び窒素を注入したIn₂O₃薄膜の電気及び光学特性

Electrical and optical properties of boron and nitrogen implanted In₂O₃ thin films.

著者 (6件)： HANAMOTO K (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  SASASKI M (Industrial Res. Center of SHIGA Prefecture, Shiga, JPN) ,  MIYATANI K (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  KAITO C (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  MIKI H (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NAKAYAMA Y (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 173  号： 3  ページ： 287-291  発行年： 2001年01月 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ほう素及び窒素をドープした標記薄膜の電気及び光学特性を研究し...

シソーラス用語： 透明電極 ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： ほう素 ,  窒素 ,  注入 ,  薄膜 ,  光学特性