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J-GLOBAL ID：200902154318602106   整理番号：99A0935470

けい素(110)表面上で成長したメソポーラスシリカ膜におけるメソチャネルの優先配列

Preferred Alignment of Mesochannels in a Mesoporous Silica Film Grown on a Silicon (110) Surface.
著者 (2件)：
MIYATA H

MIYATA H について

(Canon Inc., Kanagawa, JPN)

Canon Inc., Kanagawa, JPN について

, 
KURODA K

KURODA K について

(Waseda Univ., Tokyo, JPN)

Waseda Univ., Tokyo, JPN について


資料名：
Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)

Journal of the American Chemical Society について


巻： 121  号： 33  ページ： 7618-7624  発行年： 1999年08月25日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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けい素基板上に形成した界面活性剤-けい酸塩超分子構造がけい素...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ケイ素

ケイ素 について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*シリカ

シリカ について


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分類 (2件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

,  その他の洗浄剤 
(YG02040W)

その他の洗浄剤 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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けい素

けい素 について

, 
成長

成長 について

, 
メソポーラス

メソポーラス について

, 
シリカ膜

シリカ膜 について

, 
優先

優先 について


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