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J-GLOBAL ID：200902154396201673   整理番号：97A0329900

GaN単結晶の成長とホモエピタキシャルMOCVD層の特性

Growth of GaN Single Crystals and Properties of Homoepitaxial MOCVD Layers.

著者 (2件)： BARANOWSKI J M (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Soklowska, POL) ,  POROWSKI S (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Soklowska, POL)
資料名： Semiconducting and Insulating Materials, 1996  (Semiconducting and Insulating Materials, 1996)
ページ： 77-84  発行年： 1996年 
JST資料番号： K19970144  ISBN： 0-7803-3095-1  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質のGaN板を,最高20kbarまでのN<sub>2<...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  単結晶の成長 ,  ホモ ,  エピタキシャル ,  MOCVD