銅配線に対するMOCVD窒化タンタル膜の拡散障壁としての能力

文献

J-GLOBAL ID：200902155051685631 整理番号：96A0176594

Performance of MOCVD Tantalum Nitride Diffusion Barrier for Copper Metallization.

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資料名：
巻： 1995 ページ： 29-30 発行年： 1995年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

新しい先駆物質ter-ブチルイミド-tris-ジメチルアミノ...

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固体デバイス材料

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