短周期の合金超格子を用いたAlGaNに基づいた紫外発光ダイオードのサブミリワット動作

NISHIDA T; SAITO H; KOBAYASHI N

文献

J-GLOBAL ID：200902155080504905 整理番号：01A0326737

短周期の合金超格子を用いたAlGaNに基づいた紫外発光ダイオードのサブミリワット動作

Submilliwatt operation of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diode using short-period alloy superlattice.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=01A0326737&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0326737&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 78 号： 4 ページ： 399-400 発行年： 2001年01月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標題発光ダイオードにより0.1mWの紫外出力を達成した。高い...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0326737&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

発光素子 , 半導体のルミネセンス

, , , ,

前のページに戻る