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J-GLOBAL ID：200902155143638702   整理番号：99A0369549

N及びGa面AlGaN/GaNヘテロ構造における自発分極並びに圧電分極電荷に起因する二次元電子ガス

Two-dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N- and Ga-face AlGaN/GaN heterostructures.

著者 (9件)： AMBACHER O (Cornell Univ., New York) ,  SMART J (Cornell Univ., New York) ,  SHEALY J R (Cornell Univ., New York) ,  WEIMANN N G (Cornell Univ., New York) ,  CHU K (Cornell Univ., New York) ,  MURPHY K M (Cornell Univ., New York) ,  SCHAFF W J (Cornell Univ., New York) ,  DIMITROV R (TU-Munich, Garching, DEU) ,  HILSENBECK J (Ferdinand Braun Inst., Berlin, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 85  号： 6  ページ： 3222-3233  発行年： 1999年03月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FET製造に用いるウルツ鉱型Ga面Al<sub>x</sub...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 界面電荷 ,...

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分類 (2件)： 固体プラズマ  (BM02160W) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (9件)： Ga ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  自発分極 ,  圧電 ,  分極電荷 ,  起因 ,  二次元電子ガス