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J-GLOBAL ID：200902155350664110   整理番号：01A0546636

256kb 3.0V 1T1MTJ不揮発性磁気抵抗RAM

A 256kb 3.0V 1T1MTJ Nonvolatile Magnetoresistive RAM.

著者 (5件)： NAJI P K (Motorola Lab., AZ) ,  DURLAM M (Motorola Lab., AZ) ,  TEHRANI S (Motorola Lab., AZ) ,  CALDER J (Motorola Lab., AZ) ,  DEHERRERA M F (Motorola Lab., AZ)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 44  ページ： 122-123,438  発行年： 2001年02月 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気抵抗RAM(MRAM)は,CMOSと集積できる磁気メモリ...

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,...
準シソーラス用語： メモリセル

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (2件)： 不揮発性 ,  磁気抵抗RAM