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J-GLOBAL ID：200902155373344015   整理番号：03A0159482

f_Tとf_maxが300GHzを超す薄いpseudomorphicベースのInP/InGaAsダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ

Over 300 GHz f_T and f_max InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistors With a Thin Pseudomorphic Base.

著者 (3件)： IDA M (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN) ,  KURISHIMA K (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN) ,  WATANABE N (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 23  号： 12  ページ： 694-696  発行年： 2002年12月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)のコレクタの薄層化...

シソーラス用語： *HBT【トランジスタ】 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： InP ,  InGaAs ,  ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ