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J-GLOBAL ID：200902155611824802   整理番号：00A0768001

けい素(001)上のエピタキシャル二けい化エルビウムナノ細線の自己集合成長

Self-assembled growth of epitaxial erbium disilicide nanowires on silicon(001).

著者 (5件)： CHEN Y (Hewlett-Packard Lab., California) ,  OHLBERG D A A (Hewlett-Packard Lab., California) ,  MEDEIROS-RIBEIRO G (Hewlett-Packard Lab., California) ,  CHANG Y A (Hewlett-Packard Lab., California) ,  WILLIAMS R S (Hewlett-Packard Lab., California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 76  号： 26  ページ： 4004-4006  発行年： 2000年06月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホスト基板に対して適当な非対称格子不整合を持つ物質を選ぶこと...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： ナノ細線

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分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (7件)： けい素 ,  エピタキシャル ,  けい化 ,  エルビウム ,  ナノ細線 ,  自己集合 ,  成長