ディープ・サブ0.1μm時代の折重ねチャネルMOSFET

HISAMOTO D; LEE W-C; KEDZIERSKI J; ANDERSON E; TAKEUCHI H; ASANO K; KING T-J; BOKOR J; HU C

文献

J-GLOBAL ID：200902155739244728 整理番号：99A0420144

ディープ・サブ0.1μm時代の折重ねチャネルMOSFET

A Folded-channel MOSFET for Deep-sub-tenth Micron Era.

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HISAMOTO D

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Technical Digest. International Electron Devices Meeting (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

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巻： 1998 ページ： 1032-1034 発行年： 1998年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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ディープ・サブ0.1μm MOSFETにおける短チャネル効果...

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