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J-GLOBAL ID：200902155840033576   整理番号：01A0627466

電力応用用SiC半導体デバイスの最近の進歩と現状

Recent progress and current issues in SiC semiconductor devices for power applications.

著者 (9件)： JOHNSON C M (Univ. Newcastle, Newcastle upon Tyne, GBR) ,  WRIGHT N G (Univ. Newcastle, Newcastle upon Tyne, GBR) ,  UREN M J (Defence Res. and Evaluation Agency, Worcestershire, GBR) ,  HILTON K P (Defence Res. and Evaluation Agency, Worcestershire, GBR) ,  RAHIMO M (Semelab, Leicestershire, GBR) ,  HINCHLEY D A (Semelab, Leicestershire, GBR) ,  KNIGHTS A P (Univ. Surrey, Surrey, GBR) ,  ORTOLLAND S (Univ. Newcastle, Newcastle upon Tyne, GBR) ,  O’NEILL A G (Univ. Newcastle, Newcastle upon Tyne, GBR)
資料名： IEE Proceedings. Circuits, Devices & Systems  (IEE Proceedings. Circuits, Devices & Systems)
巻： 148  号： 2  ページ： 101-108  発行年： 2001年04月 
JST資料番号： A0160B  ISSN： 1350-2409  CODEN： ICDSE7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC半導体デバイスのプロセス技術の現状をレビューするととも...

シソーラス用語： パワーエレクトロニクス ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電力応用 ,  SiC ,  半導体デバイス ,  現状