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J-GLOBAL ID：200902156181860245   整理番号：01A0454588

Si(001)との反応による層状けい酸ランタン誘電体の形成

Formation of a stratified lanthanum silicate dielectric by reaction with Si(001).

著者 (3件)： COPEL M (T.J. Watson Res. Center, New York) ,  CARTIER E (T.J. Watson Res. Center, New York) ,  ROSS F M (T.J. Watson Res. Center, New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 78  号： 11  ページ： 1607-1609  発行年： 2001年03月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(001)基板と酸化ランタン膜との反応によって形成された...

シソーラス用語： ケイ酸塩 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  層状 ,  けい酸 ,  ランタン ,  誘電体