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J-GLOBAL ID：200902156196623851   整理番号：94A0153613

高濃度NドープZnSeにおけるNの格子位置と補償効果

Lattice Location of Nitrogen-doped ZnSe by Ion Beam Analysis.
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著者 (2件)：
ZHU Z

ZHU Z について

(Hiroshima Univ.)

Hiroshima Univ. について

, 
YAO T

YAO T について

(Hiroshima Univ.)

Hiroshima Univ. について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 54th  号： 0  ページ： 1299  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
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高濃度

高濃度 について

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ドープ

ドープ について

, 
ZnSe

ZnSe について

, 
格子

格子 について

, 
補償効果

補償効果 について


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