Дислокационная структура эпитаксиальных слоев GaSb, выращенных на подложках (001)GaAs молекулярно-лучевой эпитаксией.

КЮТТ Р Н; ШОЛЬЦ Р; РУВИМОВ С С; АРГУНОВА Т С; БУДЗА А А; ИВАНОВ С В; КОПЬЕВ П С; СОРОКИН Л М; ЩЕГЛОВ М П

文献

J-GLOBAL ID：200902156282149399 整理番号：93A0792745

Дислокационная структура эпитаксиальных слоев GaSb, выращенных на подложках (001)GaAs молекулярно-лучевой эпитаксией.

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資料名：
巻： 35 号： 3 ページ： 724-735 発行年： 1993年03月
JST資料番号： R0029B ISSN： 0367-3294 CODEN： FTVTA 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：ロシア (RUS) 言語：ロシア語 (RU)

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