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J-GLOBAL ID：200902156324798937   整理番号：93A0304338

歪んだ,または歪が部分的に緩和したIn_1-xGa_xAs/InP多重量子井戸構造に対するイオンチャネリング効果

Ion channeling effect on the strained and strain partially relaxed In_1-xGa_xAs/InP multiple quantum well structures.

著者 (4件)： TAKAHASHI Y (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  KURIYAMA K (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  MATSUI Y (OKI Electric Industry Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  KAMIJOH T (OKI Electric Industry Co., Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement  (Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号： 11  ページ： 89-92  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： L0263A  ISSN： 0914-2908  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記チャネリング現象を観測し,歪んだ多重量子井戸(MQW)構...

シソーラス用語： リン化インジウム ,...
準シソーラス用語： デチャネリング

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分類 (1件)： チャネリング,ブロッキング,粒子のエネルギー損失  (BK16100J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 歪 ,  緩和 ,  InP ,  多重量子井戸 ,  イオン