巨大磁気抵抗効果材料の新しい低電流メモリモード

RANMUTHU K T M; POHM A V; DAUGHTON J M; COMSTOCK C S

文献

J-GLOBAL ID：200902156634481909 整理番号：94A0212955

巨大磁気抵抗効果材料の新しい低電流メモリモード

New low current memory modes with giant magneto-resistance materials.

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資料名：
巻： 29 号： 6 Pt 1 ページ： 2593-2595 発行年： 1993年11月
JST資料番号： A0339B ISSN： 0018-9464 CODEN： IEMGAQ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

巨大磁気抵抗効果材料で作られたメモリセルは,センス電流なしの...

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磁区・磁化過程一般 , 磁電デバイス

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