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J-GLOBAL ID:200902156634481909   整理番号:94A0212955

巨大磁気抵抗効果材料の新しい低電流メモリモード

New low current memory modes with giant magneto-resistance materials.
著者 (4件):
資料名:
巻: 29  号: 6 Pt 1  ページ: 2593-2595  発行年: 1993年11月 
JST資料番号: A0339B  ISSN: 0018-9464  CODEN: IEMGAQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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巨大磁気抵抗効果材料で作られたメモリセルは,センス電流なしの...
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分類 (2件):
分類
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磁区・磁化過程一般  ,  磁電デバイス 
タイトルに関連する用語 (1件):
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