高度に秩序化したアルミナ膜を用いた反応性ビームエッチングによるGaAsとInPナノホールアレイの製作

文献

J-GLOBAL ID：200902156794460398 整理番号：99A0355956

GaAs and InP Nanohole Arrays Fabricated by Reactive Beam Etching Using Highly Ordered Alumina Membranes.

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巻： 38 号： 2B ページ： 1052-1055 発行年： 1999年02月28日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

陽極酸化で作製した多孔質アルミナ膜をマスクに用い,Br<su...

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固体デバイス製造技術一般

引用文献 (14件)：

(1) H. Masuda and K. Fukuda: Science 268 (1995) 1466.
(2) H. Masuda and M. Satoh: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L126.
(3) H. Masuda, H. Yamada, M. Satoh, H. Asoh, M. Nakao and T. Tamamura: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2770.
(4) J.D. Joannopoulos, R.D. Meade and J.N. Winn: Photonic Crystals (Princeton Univ. Press, Princeton, 1995), and references therein.
(5) J.R. Wendt, G.A. Vawter, P.L. Gourley, T.M. Brennan and B.E. Hammons: J. Vac. Sci. & Tech. B 11 (1993) 2637.

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