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J-GLOBAL ID：200902157047838256   整理番号：99A0808137

Si(111)基板上のGaN量子ドットによる可視から白色光までの発光

From visible to white light emission by GaN quantum dots on Si(111) substrate.

著者 (5件)： DAMILANO B (Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech., Valbonne, FRA) ,  GRANDJEAN N (Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech., Valbonne, FRA) ,  SEMOND F (Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech., Valbonne, FRA) ,  MASSIES J (Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech., Valbonne, FRA) ,  LEROUX M (Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech., Valbonne, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 75  号： 7  ページ： 962-964  発行年： 1999年08月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)基板上に分子ビームエピタキシャル成長によってA...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  GaN ,  量子ドット ,  白色光