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J-GLOBAL ID：200902157292215949   整理番号：96A0603853

スマートカットプロセスを用いた絶縁体上への炭化けい素の形成

Silicon carbide on insulator formation using the Smart Cut process.

著者 (5件)： DI CIOCCIO L (CEA Grenoble, Grenoble, FRA) ,  LE TIEC Y (CEA Grenoble, Grenoble, FRA) ,  LETERTRE F (CEA Grenoble, Grenoble, FRA) ,  JAUSSAUD C (CEA Grenoble, Grenoble, FRA) ,  BRUEL M (CEA Grenoble, Grenoble, FRA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 32  号： 12  ページ： 1144-1145  発行年： 1996年06月06日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化けい素(SiC)は,高温,高電力,高周波デバイスのような...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (2件)： 絶縁体 ,  炭化けい素