炭素蒸着後のSi(100)の表面形態

文献

J-GLOBAL ID：200902157556454696 整理番号：98A0829904

The surface morphology of Si(100) after carbon deposition.

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巻： 411 号： 1/2 ページ： 61-69 発行年： 1998年08月11日
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

薄いエピタキシャル層中の炭素の濃度は,もし特別のエピタキシャ...

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半導体の表面構造

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