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J-GLOBAL ID：200902157638593430   整理番号：99A0092169

銅フタロシアニン膜を用いたSchottkyゲート静電誘導トランジスタ

Schottky gate static induction transistor using copper phthalocyanine films.

著者 (5件)： KUDO K (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  WANG D X (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  IIZUKA M (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  KUNIYOSHI S (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  TANAKA K (Chiba Univ., Chiba, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 331  号： 1/2  ページ： 51-54  発行年： 1998年10月15日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅フタロシアニンとAl Schottkyゲート電極を用いた静...

シソーラス用語： *接合形FET ,...
準シソーラス用語： 静電誘導トランジスタ ,...

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分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 銅フタロシアニン ,  ゲート ,  静電誘導トランジスタ