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J-GLOBAL ID：200902157878774688   整理番号：94A0167488

立方晶炭化けい素接触層を用いて作製した6H炭化けい素に対する低抵抗率(~10^-5Ωcm²)Ohm接触

Low resistivity (~10^-5Ωcm²) ohmic contacts to 6H silicon carbide fabricated using cubic silicon carbide contact layer.

著者 (4件)： DMITRIEV V A (Howard Univ., Washington, D.C.) ,  IRVINE K (Howard Univ., Washington, D.C.) ,  SPENCER M (Howard Univ., Washington, D.C.) ,  KELNER G (Naval Research Lab., Washington, D.C.)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 64  号： 3  ページ： 318-320  発行年： 1994年01月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロポリタイプエピタクシーを用いて6H-SiCポリタイプに...

シソーラス用語： 化学蒸着 ,...

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分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 立方晶 ,  炭化けい素 ,  接触層 ,  作製 ,  低抵抗 ,  Ohm接触