文献
J-GLOBAL ID：200902158198035640
整理番号：96A0543109
高アスペクト比のホールの高選択性のSiO2/Si3N4エッチングの評価
Characterization of Highly Selective SiO2/Si3N4 Etching of High-Aspect-Ratio Holes.
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著者 (3件)：
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資料名：
巻：
35
号：
4B
ページ：
2488-2493
発行年：
1996年04月
JST資料番号：
G0520B
ISSN：
0021-4922
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
日本 (JPN)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
プラズマ応用
, 固体デバイス製造技術一般
引用文献 (18件)：
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MARKS, J. Proc.Advancecd Techniques for Integrated Circuit Processing II. 1992, 1803
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SAKAI, T. Proc.Dry Process Symp.1993. 1993, 193
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HAYASHI, H. Proc.Dry Process Symp.1992. 1992, 205
-
GOTTSCHO, R. A. J.Vac.Sci.& Technol. 1992, B10, 2133
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COBURN, J. W. Appl.Phys.Lett. 1989, 55, 2730
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