文献

J-GLOBAL ID：200902158494311296   整理番号：97A0326000

完全性の高いSiC薄膜 X線二結晶回折法及びX線二結晶トポグラフィーによる研究

Highly perfect thin films of SiC: X-ray double crystal diffractometry and X-ray double crystal topographic study.

著者 (4件)： CHAUDHURI J (Wichita State Univ., KS, USA) ,  CHENG X (Wichita State Univ., KS, USA) ,  YUAN C (Emcore Corp., NJ, USA) ,  STECKL A J (Univ. Cincinnati, OH, USA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 292  号： 1/2  ページ： 1-6  発行年： 1997年01月05日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一ソースのオルガノシラン前駆体シラシクロブタン(c-C<s...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： MOVPE

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0326000&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0899A") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 完全性 ,  SiC ,  薄膜 ,  X線 ,  結晶 ,  回折 ,  トポグラフィー ,  研究