ホイスラー型Fe<sub>2</sub>VAl化合物の電気抵抗率の半導体型の挙動

NISHINO Y; KATO M; ASANO S; SODA K; HAYASAKI M; MIZUTANI U

文献

J-GLOBAL ID：200902158709050200 整理番号：97A0913574

ホイスラー型Fe₂VAl化合物の電気抵抗率の半導体型の挙動

Semiconductorlike Behavior of Electrical Resistivity in Heusler-type Fe₂VAl Compound.

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巻： 79 号： 10 ページ： 1909-1912 発行年： 1997年09月08日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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金属結晶の電子伝導

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ホイスラー型Fe2VAl化合物の電気抵抗率の半導体型の挙動

ホイスラー型Fe₂VAl化合物の電気抵抗率の半導体型の挙動