有機金属化学気相堆積により成長した1.24μmのGaInNAsレーザの室温連続波動作

SATO S; SATOH S

文献

J-GLOBAL ID：200902158944450410 整理番号：99A0976990

有機金属化学気相堆積により成長した1.24μmのGaInNAsレーザの室温連続波動作

Room-Temperature Continuous-Wave Operation of 1.24-μm GaInNAs Lasers Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition.

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資料名：
巻： 5 号： 3 ページ： 707-710 発行年： 1999年05月
JST資料番号： W0734A ISSN： 1077-260X CODEN： IJSQEN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記のGaInNAs-GaAsレーザにおいて,室温連続波動作...

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半導体レーザ , 半導体薄膜

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