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J-GLOBAL ID:200902159085046820   整理番号:93A0645243

Si(100)表面上の超薄酸化物層の分解と脱離によって生じるメソおよびミクロ構造の走査型トンネル顕微鏡による研究

The mesoscopic and microscopic structural consequences from decomposition and desorption of ultrathin oxide layers on Si(100) studied by scanning tunneling microscopy.
著者 (4件):
資料名:
巻: 290  号:ページ: 213-231  発行年: 1993年06月20日 
JST資料番号: C0129B  ISSN: 0039-6028  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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0.3~1単分子層の標記超薄膜の,空間的に不均一な分解,脱離...
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半導体の表面構造 

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