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J-GLOBAL ID：200902159116947138   整理番号：95A0897807

CHF₃/Ar及びC₂ClF₅/ArプラズマによるGaNの反応性イオンエッチング

Reactive ion etching of GaN using CHF₃/Ar and C₂ClF₅/Ar plasmas.

著者 (3件)： LEE H (Stanford Univ., California) ,  OBERMAN D B (Stanford Univ., California) ,  HARRIS J S JR (Stanford Univ., California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 67  号： 12  ページ： 1754-1756  発行年： 1995年09月18日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs(001)上にECRプラズマ促進MBEにより成長させ...

シソーラス用語： 脂肪族フッ素化合物 ,...
準シソーラス用語： フルオロホルム ,...

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分類 (1件)： プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ar ,  プラズマ ,  GaN ,  反応性イオンエッチング