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J-GLOBAL ID：200902159419914801   整理番号：95A0150296

低温で成長させた歪Si_1-yC_y合金の光ルミネセンス

Photoluminescence of strained Si_1-yC_y alloys grown at low temperature.

著者 (8件)： BOUCAUD P (Univ. Paris XI, Orsay, FRA) ,  FRANCIS C (Univ. Paris XI, Orsay, FRA) ,  LARRE A (Univ. Paris XI, Orsay, FRA) ,  JULIEN F H (Univ. Paris XI, Orsay, FRA) ,  LOURTIOZ J-M (Univ. Paris XI, Orsay, FRA) ,  BOUCHIER D (Univ. Paris XI, Orsay, FRA) ,  BODNAR S (France Telecom, Meylan, FRA) ,  REGOLINI J L (France Telecom, Meylan, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 66  号： 1  ページ： 70-72  発行年： 1995年01月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 急速熱化学蒸着によって低温で成長させた歪Si<sub>1-X...

シソーラス用語： 格子歪 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯

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分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低温 ,  成長 ,  歪 ,  光ルミネセンス