文献

J-GLOBAL ID：200902159536298178   整理番号：99A0017742

高耐久性と逆回復特性の低温度依存性のための横方向SOIダイオードの設計最適化

Lateral SOI Diode Design Optimization for High Ruggedness and Low Temperature Dependence of Reverse Recovery Characteristics.

著者 (4件)： FUNAKI H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  YAMAGUCHI Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  HIRAYAMA K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NAKAGAWA A (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Proceedings of the 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1998  (Proceedings of the 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1998)
ページ： 33-36  発行年： 1998年 
JST資料番号： K19980600  ISBN： 0-7803-4752-8  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高耐久性 ,  回復 ,  温度依存性 ,  横方向 ,  SOI ,  ダイオード ,  設計最適化