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J-GLOBAL ID：200902159619855044   整理番号：98A0821873

シリコンへの金属の電気化学的堆積

Electrochemical deposition of metals onto silicon.
著者 (4件)：
OSKAM G

OSKAM G について

(Johns Hopkins Univ., MD, USA)

Johns Hopkins Univ., MD, USA について

, 
LONG J G

LONG J G について

(Johns Hopkins Univ., MD, USA)

Johns Hopkins Univ., MD, USA について

, 
NATARAJAN A

NATARAJAN A について

(Johns Hopkins Univ., MD, USA)

Johns Hopkins Univ., MD, USA について

, 
SEARSON P C

SEARSON P C について

(Johns Hopkins Univ., MD, USA)

Johns Hopkins Univ., MD, USA について


資料名：
Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)

Journal of Physics. D. Applied Physics について


巻： 31  号： 16  ページ： 1927-1949  発行年： 1998年08月21日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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半導体への金属薄膜の電気化学的堆積を支配する一般的コンセプト...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*電着

電着 について

,...
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分類 (2件)：
分類
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金属薄膜 
(BK14030T)

金属薄膜 について

,  固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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シリコン

シリコン について

, 
電気化学

電気化学 について

, 
堆積

堆積 について


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