1.3μm室温GaAs系量子ドットレーザ

HUFFAKER D L; PARK G; ZOU Z; SHCHEKIN O B; DEPPE D G

文献

J-GLOBAL ID：200902159719095616 整理番号：99A0040336

1.3μm室温GaAs系量子ドットレーザ

1.3μm room-temperature GaAs-based quantum-dot laser.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=99A0040336&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0040336&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 73 号： 18 ページ： 2564-2566 発行年： 1998年11月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

InGaAs/GaAs量子ドット集団において,標記の室温レー...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0040336&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

半導体レーザ

, ,

前のページに戻る