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J-GLOBAL ID：200902159901702633   整理番号：98A0068016

ゲート酸化膜としてGa₂O₃(Gd₂O₃)を用いたエンハンスメント-モードのp-チャネルGaAs MOSFETとn-チャネルGaAs MOSFETの実現

Demonstration of enhancement-mode p- and n-channel GaAs MOSFETs with Ga₂O₃(Gd₂O₃) As gate oxide.

著者 (9件)： REN F (Bell Lab., NJ, USA) ,  HONG M (Bell Lab., NJ, USA) ,  HOBSON W S (Bell Lab., NJ, USA) ,  KUO J M (Bell Lab., NJ, USA) ,  LOTHIAN J R (Bell Lab., NJ, USA) ,  MANNAERTS J P (Bell Lab., NJ, USA) ,  KWO J (Bell Lab., NJ, USA) ,  CHU S N G (Bell Lab., NJ, USA) ,  CHO A Y (Bell Lab., NJ, USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 41  号： 11  ページ： 1751-1753  発行年： 1997年11月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート酸化膜としてGa₂O<sub>3...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート酸化膜 ,  Ga2O3 ,  Gd2O3 ,  チャネル ,  GaAs ,  MOSFET